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RF 스퍼터링법으로 사파이어 기판 위에 성장한 ZnO와 ZnO : A1 박막의 질소 및 수소 후열처리에 따른 Photoluminescence 특성
RF 스퍼터링법으로 사파이어 기판 위에 성장한 ZnO와 ZnO  : A1 박막의 질소 및 수소 후열처리에...
RF 스퍼터링법으로 사파이어 기판 위에 성장한 ZnO와 ZnO : A1 박막의 질소 및 수소 후열처리에 따른 Photoluminescence 특성

상세정보

자료유형  
 기사
ISSN  
12250562
저자명  
조정
서명/저자  
RF 스퍼터링법으로 사파이어 기판 위에 성장한 ZnO와 ZnO : A1 박막의 질소 및 수소 후열처리에 따른 Photoluminescence 특성 / 조정 , 윤기현, 정형진, 최원국 공저
발행사항  
서울 : 한국재료학회, 2001.
형태사항  
pp. 889-894
주기사항  
권말 색인및 참고문헌수록
기타저자  
윤기현, 정형진, 최원국
기본자료저록  
한국재료학회지(Korean Journal of Materials Research) : Vol. 11, No. 10, (2001 Octoberl) 2001, 10
원문정보  
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모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
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MARC

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