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MOCVD 성장조건이 InN/GaN 다층박막의 발광세기에 미치는 영향
MOCVD 성장조건이 InN/GaN 다층박막의 발광세기에 미치는 영향
상세정보
MARC
008190603s2002 ulk aa kor■022 ▼a12250562
■1001 ▼a김현수
■24510▼aMOCVD 성장조건이 InN/GaN 다층박막의 발광세기에 미치는 영향▼d김현수▼e이정주, 정순영, 이정용, J.Y. LinㆍH.X. Jiang 공저
■260 ▼a서울▼b한국재료학회▼c2002.
■300 ▼app. 190-194
■500 ▼a권말 참고문헌 수록
■7001 ▼a이정주, 정순영, 이정용, J.Y. LinㆍH.X. Jiang
■773 ▼t한국재료학회지(Korean Journal of Materials Research)▼gVol. 12, No. 3, (2002 March)▼d2002, 03
■856 ▼uhttp://www.mrs-k.or.kr
■SIS ▼aS014207▼b60055267▼h8▼s2▼fP


