서브메뉴
검색
SiH2Cl2와O3을 이용한 원자층 증착법에 의해 제조된 실리콘 산화막의 특성
SiH2Cl2와O3을 이용한 원자층 증착법에 의해 제조된 실리콘 산화막의 특성
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12250562
- 저자명
- 이원준
- 서명/저자
- SiH2Cl2와O3을 이용한 원자층 증착법에 의해 제조된 실리콘 산화막의 특성 / 이원준 , 이주현 한창희 김운중 이연승 나사균 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국재료학회, 2004.
- 형태사항
- pp. 90-93
- 주기사항
- 권말 색인 및 참고문헌 수록
- 기타저자
- 이주현 한창희 김운중 이연승 나사균
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60217971
MARC
008190603s2004 ulk aa kor■022 ▼a12250562
■1001 ▼a이원준
■24510▼aSiH2Cl2와O3을 이용한 원자층 증착법에 의해 제조된 실리콘 산화막의 특성▼d이원준 ▼e이주현 한창희 김운중 이연승 나사균 공저
■260 ▼a서울▼b한국재료학회▼c2004.
■300 ▼app. 90-93
■500 ▼a권말 색인 및 참고문헌 수록
■7001 ▼a이주현 한창희 김운중 이연승 나사균
■773 ▼t한국재료학회지(Korean Journal of Materials Research)▼gVol. 14, No. 2, (2004 February)▼d2004, 02
■SIS ▼aS014230▼b60055267▼h8▼s2▼fP
Preview
Export
ChatGPT Discussion
AI Recommended Related Books
ค้นหาข้อมูลรายละเอียด
- จองห้องพัก
- ไม่อยู่
- โฟลเดอร์ของฉัน
- Reference Materials for Thesis Writing
- Reference Materials for Research Ethics
- Job-Related Books
