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SOI-LDMOS의 드리프트 길이 변화에 따른 전기적 특성의 고온영역 신뢰성 분석
SOI-LDMOS의 드리프트 길이 변화에 따른 전기적 특성의 고온영역 신뢰성 분석
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- 저자명
- 김재석
- 서명/저자
- SOI-LDMOS의 드리프트 길이 변화에 따른 전기적 특성의 고온영역 신뢰성 분석 / 김재석 , 구용서, 구진근, 안철 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2003.
- 형태사항
- pp. 1077-1080
- 주기사항
- 참고문헌 수록
- 기타저자
- 구용서, 구진근, 안철
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60202889
MARC
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■7001 ▼a구용서, 구진근, 안철
■773 ▼t대한전자공학회 종합학술대회 논문집▼g2003년도 하계 II 제26권 제1호▼d2003, 07
■856 ▼uhttp://www.ieek.or.kr
■SIS ▼aS010144▼b60014492▼h8▼s2▼fP
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