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100GHz 이상의 밀리미터파 HEMT 소자 제작 및 개발을 위한 GaAs기반 0.1um I - 게이트 MHEMT의 DC/RF 특성에 대한 calibration 연구
100GHz 이상의 밀리미터파 HEMT 소자 제작 및 개발을 위한 GaAs기반 0.1um I - 게이트 MHEMT의 D...
100GHz 이상의 밀리미터파 HEMT 소자 제작 및 개발을 위한 GaAs기반 0.1um I - 게이트 MHEMT의 DC/RF 특성에 대한 calibration 연구

Detailed Information

자료유형  
 기사
저자명  
손명식
서명/저자  
100GHz 이상의 밀리미터파 HEMT 소자 제작 및 개발을 위한 GaAs기반 0.1um I - 게이트 MHEMT의 DC/RF 특성에 대한 calibration 연구 / 손명식 , 이복형, 이진구 공저
발행사항  
서울 : 대한전자공학회, 2003.
형태사항  
pp. 751-754
주기사항  
참고문헌 수록
기타저자  
이복형, 이진구
기본자료저록  
대한전자공학회 종합학술대회 논문집 : 2003년도 하계 II 제26권 제1호 2003, 07
원문정보  
 url
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
kjul:60202801

MARC

 008190111s2003        ulk                          aa    kor
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