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 008190111s2003        ulk                          aa    kor
■1001  ▼a임기주
■24510▼aElevated  Polysilicon  source/drain  구조와  고유전율  절연막을  적용한  초미세  SOI  MOSFET의  제작  및  특성  연구▼d임기주▼e조원주,  맹성렬,  안창근,  양종헌,  오지훈,  이성재,  황현상  공저
■260    ▼a서울▼b대한전자공학회▼c2003.
■300    ▼app.  715-718
■500    ▼a참고문헌  수록
■7001  ▼a조원주,  맹성렬,  안창근,  양종헌,  오지훈,  이성재,  황현상
■773    ▼t대한전자공학회  종합학술대회  논문집▼g2003년도  하계  II  제26권  제1호▼d2003,  07
■856    ▼uhttp://www.ieek.or.kr
■SIS    ▼aS010144▼b60014492▼h8▼s2▼fP

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