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완전 결핍 SOI MOSFET의 계면 트랩 밀도에 대한 급속 열처리 효과
완전 결핍 SOI MOSFET의 계면 트랩 밀도에 대한 급속 열처리 효과
상세정보
MARC
008190111s2003 ulk aa kor■1001 ▼a오지훈
■24510▼a완전 결핍 SOI MOSFET의 계면 트랩 밀도에 대한 급속 열처리 효과▼d오지훈▼e조원주, 양종헌, 임기주, 백인복, 안창근, 이성재 공저
■260 ▼a서울▼b대한전자공학회▼c2003.
■300 ▼app. 711-714
■500 ▼a참고문헌 수록
■7001 ▼a조원주, 양종헌, 임기주, 백인복, 안창근, 이성재
■773 ▼t대한전자공학회 종합학술대회 논문집▼g2003년도 하계 II 제26권 제1호▼d2003, 07
■856 ▼uhttp://www.ieek.or.kr
■SIS ▼aS010144▼b60014492▼h8▼s2▼fP
