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Co-interlayer와 TiN capping을 적용한 니켈실리사이드의 0.1um CMOS 소자 특성연구
Co-interlayer와 TiN capping을 적용한 니켈실리사이드의 0.1um CMOS 소자 특성연구
Detailed Information
MARC
008190111s2003 ulk aa kor■1001 ▼a오순영
■24510▼aCo-interlayer와 TiN capping을 적용한 니켈실리사이드의 0.1um CMOS 소자 특성연구▼d오순영▼e지희환, 배미숙, 윤장근, 김용구, 황빈봉, 박영호, 왕진석, 이희덕 공저
■260 ▼a서울▼b대한전자공학회▼c2003.
■300 ▼app. 671-674
■500 ▼a참고문헌 수록
■7001 ▼a지희환, 배미숙, 윤장근, 김용구, 황빈봉, 박영호, 왕진석, 이희덕
■773 ▼t대한전자공학회 종합학술대회 논문집▼g2003년도 하계 II 제26권 제1호▼d2003, 07
■856 ▼uhttp://www.ieek.or.kr
■SIS ▼aS010144▼b60014492▼h8▼s2▼fP
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