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압전 및 자발 분극을 고려한 단채널 AlGaN/GaN HEMT의 전류-전압 특성에 관한 해석적 모델
압전 및 자발 분극을 고려한 단채널 AlGaN/GaN HEMT의 전류-전압 특성에 관한 해석적 모델
Detailed Information
MARC
008181227s2005 ulk aa kor■022 ▼a12296368
■1001 ▼a오영해
■24510▼a압전 및 자발 분극을 고려한 단채널 AlGaN/GaN HEMT의 전류-전압 특성에 관한 해석적 모델▼d오영해▼e지순구,서정하 공저
■260 ▼a서울▼b대한전자공학회▼c2005.
■300 ▼app. 103-112
■500 ▼a참고문헌수록
■7001 ▼a지순구,서정하
■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제42권 제12호 (2005 12)▼d2005, 12
■856 ▼uhttp://www.ieek.or.kr
■SIS ▼aS018531▼b60014354▼h8▼s2▼fP
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