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Investigation of the p-GaN Ohmic Contact Property by Using a Synchrotron Radiation Analysis
Investigation of the p-GaN Ohmic Contact Property by Using a Synchrotron Radiation Analysis
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 03744884
- 저자명
- T. H. Kim
- 서명/저자
- Investigation of the p-GaN Ohmic Contact Property by Using a Synchrotron Radiation Analysis / T. H. Kim , J. H. Boo , M. H. Joo , J. W. Lee , K. H. Park , J. S. Ha , J. H. Jang , J. S. Lee , H. J. Shin
- 발행사항
- 서울 : 한국물리학회, 2007.
- 형태사항
- pp. 1894-1898
- 기타저자
- J. H. Boo
- 기타저자
- M. H. Joo
- 기타저자
- J. W. Lee
- 기타저자
- K. H. Park
- 기타저자
- J. S. Ha
- 기타저자
- J. H. Jang
- 기타저자
- J. S. Lee
- 기타저자
- H. J. Shin
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60146354
MARC
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