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PMOS 게이팅 셀 기반 2.5 -V, 1-Mb강유전체 메모리 설계
PMOS 게이팅 셀 기반 2.5 -V, 1-Mb강유전체 메모리 설계
상세정보
MARC
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■100 ▼a김정현
■245 ▼aPMOS 게이팅 셀 기반 2.5 -V, 1-Mb강유전체 메모리 설계▼d김정현▼e정연배 공저
■260 ▼a서울▼b대한전자공학회▼c2005.
■300 ▼app. 1-8
■7001 ▼a정연배
■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제42권 제10호 (2005 10)▼d2005, 10
■SIS ▼aS016389▼b60014354▼h8▼s2▼fP


