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발광소자 응용을 위한 나노구조체의 도핑 기술개발 = Doping of nanostructures for light emittingdiode applications
발광소자 응용을 위한 나노구조체의 도핑 기술개발  = Doping of nanostructures for light emit...
발광소자 응용을 위한 나노구조체의 도핑 기술개발 = Doping of nanostructures for light emittingdiode applications

상세정보

자료유형  
 참고자료
청구기호  
569.41 한16바
단체저자  
한국원자력연구소 양성자기반공학기술개발사업단.
서명/저자  
발광소자 응용을 위한 나노구조체의 도핑 기술개발 = Doping of nanostructures for light emittingdiode applications / 한국원자력연구소 양성자기반공학기술개발사업단 [편].
발행사항  
[대전] : 한국원자력연구소 양성자기반공학기술개발사업단, 2006.
형태사항  
v, 21 p. : 삽도 ; 30 cm.
총서명  
양성자가속기 이용자프로그램 개발 및 운영 = Development and management of proton accelerator user program
서지주기  
참고문헌 : p. 21
초록/해제  
요약요약문 : p. ii
초록/해제  
요약Summary : p. iii
기타저자  
한상욱
기타저자  
유효종
기타저자  
정은석
기타저자  
박순홍
기타저자  
한국원자력연구소. 양성자기반공학기술개발사업단
기타저자  
전북대학교
가격  
비매품
Control Number  
kjul:60105571

MARC

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    0257397 R  569.41 한16바 참고자료실(관광학관2층) 대출불가 대출불가
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