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나노구조 이중게이트 MOSFET에서 터널링이 단태널효과에 미치는 영향
나노구조 이중게이트 MOSFET에서 터널링이 단태널효과에 미치는 영향
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12266881
- 서명/저자
- 나노구조 이중게이트 MOSFET에서 터널링이 단태널효과에 미치는 영향 / 정학기 저
- 발행사항
- 서울 : 한국해양정보통신학회, 2006.
- 형태사항
- pp. 479-485
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60100373
MARC
008070622s2006 ULKa a KOR■022 ▼a12266881
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