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Impact of Si Impurities in HfO₂ : Threshold Voltage Problems in Poly-Si/HfO₂ Gate Stacks
Impact of Si Impurities in HfO₂ : Threshold Voltage Problems in Poly-Si/HfO₂ Gate Stacks
상세정보
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 03744884
- 저자명
- Dae Yeon Kim.
- 서명/저자
- Impact of Si Impurities in HfO₂ : Threshold Voltage Problems in Poly-Si/HfO₂ Gate Stacks / Dae Yeon Kim , Joongoo Kang , K. J. Chang.
- 발행사항
- 서울 : 한국물리학회, 2006.
- 형태사항
- pp. 1628-1632
- 키워드
- IMPACT IMPURITIES HFO₂
- 기타저자
- Joongoo Kang
- 기타저자
- K. J. Chang.
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60097203
MARC
008070413s2006 ULKa a ENG■022 ▼a03744884
■1001 ▼aDae Yeon Kim.
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■URL ▼ahttp://www.kps.or.kr
■SIS ▼aS028403▼b60077342▼h8▼s2
