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0.25㎛ 표준 CMOS 로직 공정을 이용한 Single polysilicon EEPROM 셀 및 고전압소자
0.25㎛ 표준 CMOS 로직 공정을 이용한 Single polysilicon EEPROM 셀 및 고전압소자
                                    Detailed Information
MARC
008061212s2006 ULKa a KOR■022 ▼a12267945
■1001 ▼a신윤수
■245 ▼a0.25㎛ 표준 CMOS 로직 공정을 이용한 Single polysilicon EEPROM 셀 및 고전압소자▼d신윤수▼e나기열▼e김영식▼e김영석 공저
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c2006.
■300 ▼app. 994-999
■653 ▼a0.25㎛▼a표준▼aCMOS▼a로직▼a공정▼a이용▼aSINGLE▼aPOLYSILICON▼aEEPROM▼a고전압▼a소자
■7001 ▼a나기열
■7001 ▼a김영식
■7001 ▼a김영석
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제19권 제11호 (2006년 11월)▼d2006, 11
■URL ▼ahttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS035784▼b60055323▼h8▼s2


