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0.25㎛ 표준 CMOS 로직 공정을 이용한 Single polysilicon EEPROM 셀 및 고전압소자
0.25㎛ 표준 CMOS 로직 공정을 이용한 Single polysilicon EEPROM 셀 및 고전압소자 / 신윤수 , ...
0.25㎛ 표준 CMOS 로직 공정을 이용한 Single polysilicon EEPROM 셀 및 고전압소자

상세정보

자료유형  
 기사
ISSN  
12267945
저자명  
신윤수
서명/저자  
0.25㎛ 표준 CMOS 로직 공정을 이용한 Single polysilicon EEPROM 셀 및 고전압소자 / 신윤수 , 나기열 , 김영식 , 김영석 공저
발행사항  
서울 : 한국전기전자재료학회, 2006.
형태사항  
pp. 994-999
키워드  
0.25㎛ 표준 CMOS 로직 공정 이용 SINGLE POLYSILICON EEPROM 고전압 소자
기타저자  
나기열
기타저자  
김영식
기타저자  
김영석
기본자료저록  
전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic : 제19권 제11호 (2006년 11월) 2006, 11
URL  
http://www.kieeme.or.kr
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
kjul:60085695

MARC

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