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ISSN  

12267945

서명/저자  

MBE로 성장된 Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As pHEMT 에피구조의 RTA에 따른 전도 특성 / 김경현, 홍성의, 백문철, 조경익, 최상식, 양전욱, 심규환 공저.

발행사항  

서울 : 한국전기전자재료학회, 2006.

형태사항  

pp. 605-610

키워드  

MBE로 성장 AL0.25GA0.75ASIN0.2GA0.8AS PHEMT 에피 RTA에 전도

기타저자  

김경현

기타저자  

홍성의

기타저자  

백문철

기타저자  

조경익

기타저자  

최상식

기타저자  

양전욱

기타저자  

심규환

기본자료저록  

전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic : 제19권 제7호 (2006년 7월) 2006, 07

URL  

http://kieeme.or.kr

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Control Number  

kjul:60078265