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MBE로 성장된 Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As pHEMT 에피구조의 RTA에 따른 전도 특성
MBE로 성장된 Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As pHEMT 에피구조의 RTA에 따른 전도 특성
Detailed Information
- Material Type
- 기사
- ISSN
- 12267945
- Title/Author
- MBE로 성장된 Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As pHEMT 에피구조의 RTA에 따른 전도 특성 / 김경현, 홍성의, 백문철, 조경익, 최상식, 양전욱, 심규환 공저.
- Publish Info
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2006.
- Material Info
- pp. 605-610
- Added Entry-Personal Name
- 김경현
- Added Entry-Personal Name
- 홍성의
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- 백문철
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- 조경익
- Added Entry-Personal Name
- 최상식
- Added Entry-Personal Name
- 양전욱
- Added Entry-Personal Name
- 심규환
- Host Item Entry
- 전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic : 제19권 제7호 (2006년 7월) 2006, 07
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60078265
MARC
008060914s2006 ULKa a KOR■022 ▼a12267945
■245 ▼aMBE로 성장된 Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As pHEMT 에피구조의 RTA에 따른 전도 특성▼d김경현, 홍성의, 백문철, 조경익, 최상식, 양전욱, 심규환 공저.
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c2006.
■300 ▼app. 605-610
■653 ▼aMBE로▼a성장▼aAL0.25GA0.75ASIN0.2GA0.8AS▼aPHEMT▼a에피▼aRTA에▼a전도
■700 ▼a김경현
■7001 ▼a홍성의
■7001 ▼a백문철
■7001 ▼a조경익
■7001 ▼a최상식
■7001 ▼a양전욱
■7001 ▼a심규환
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제19권 제7호 (2006년 7월)▼d2006, 07
■URL ▼ahttp://kieeme.or.kr
■SIS ▼aS027648▼b60055323▼h8▼s2
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