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MBE로 성장된 Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As pHEMT 에피구조의 RTA에 따른 전도 특성
MBE로 성장된 Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As pHEMT 에피구조의 RTA에 따른 전도 특성
상세정보
MARC
008060914s2006 ULKa a KOR■022 ▼a12267945
■245 ▼aMBE로 성장된 Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As pHEMT 에피구조의 RTA에 따른 전도 특성▼d김경현, 홍성의, 백문철, 조경익, 최상식, 양전욱, 심규환 공저.
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c2006.
■300 ▼app. 605-610
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■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제19권 제7호 (2006년 7월)▼d2006, 07
■URL ▼ahttp://kieeme.or.kr
■SIS ▼aS027648▼b60055323▼h8▼s2
