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4H-SiC(0001) Epolayer 성자아 및 쇼트키 다이오드의 전기적 특성
4H-SiC(0001) Epolayer 성자아 및 쇼트키 다이오드의 전기적 특성
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 4H-SiC(0001) Epolayer 성자아 및 쇼트키 다이오드의 전기적 특성 / 박치권, 이원재, Shigehiro Nishino, 신병철 공저.
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2006.
- 형태사항
- pp. 344-349
- 기타저자
- 박치권
- 기타저자
- 이원재
- 기타저자
- Shigehiro Nishino
- 기타저자
- 신병철
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60078215
MARC
008060914s2006 ULKa a KOR■022 ▼a12267945
■245 ▼a4H-SiC(0001) Epolayer 성자아 및 쇼트키 다이오드의 전기적 특성▼d박치권, 이원재, Shigehiro Nishino, 신병철 공저.
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c2006.
■300 ▼app. 344-349
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■7001 ▼aShigehiro Nishino
■7001 ▼a신병철
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제19권 제4호 (2006년 4월)▼d2006, 04
■URL ▼ahttp://kieeme.or.kr
■SIS ▼aS025121▼b60055323▼h8▼s2
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