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새로운 정공차폐 층(Hole blocking layer)으로 DCJTB 도핑된 24MeSAlq를 이용한 백색유기발광다이오드
새로운 정공차폐 층(Hole blocking layer)으로 DCJTB 도핑된 24MeSAlq를 이용한 백색유기발광다...
새로운 정공차폐 층(Hole blocking layer)으로 DCJTB 도핑된 24MeSAlq를 이용한 백색유기발광다이오드

상세정보

자료유형  
 기사
ISSN  
12250562
저자명  
김미숙
서명/저자  
새로운 정공차폐 층(Hole blocking layer)으로 DCJTB 도핑된 24MeSAlq를 이용한 백색유기발광다이오드 / 김미숙, 임종태, 염근영 저.
발행사항  
서울 : 한국재료학회, 2006.
형태사항  
pp. 231-234
키워드  
정공 차폐 BLOCKING LAYER DCJTB 도핑 24MESALQ 이용 백색
기타저자  
임종태
기타저자  
염근영
기본자료저록  
한국재료학회지(Korean Journal of Materials Research) : Vol. 16, No. 4, (2006 April) 2006, 04
URL  
http://mrs-k.or.kr
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
kjul:60077955

MARC

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