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표면 도핑 기법을 사용한 SOI RESURF LDMOSFET의 항복전압 및 온-저항 특성분석
표면 도핑 기법을 사용한 SOI RESURF LDMOSFET의 항복전압 및 온-저항 특성분석
Detailed Information
MARC
008060215s2006 ULKa a KOR■022 ▼a12267945
■245 ▼a표면 도핑 기법을 사용한 SOI RESURF LDMOSFET의 항복전압 및 온-저항 특성분석▼d김형우, 김상철, 방 욱, 강인호, 김기현, 김남균 공저
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c2006.
■300 ▼app. 23-28
■653 ▼a표면▼a도핑▼a기법▼a사용▼aSOI▼aRESURF▼aLDMOSFET의▼a항복▼a전압▼a특성▼a분석
■700 ▼a김형우
■7001 ▼a김상철
■7001 ▼a방 욱
■7001 ▼a강인호
■7001 ▼a김기현
■7001 ▼a김남균
■773 ▼t전기전자재료학회논문지▼g제19권 제1호 (2006년 1월)▼d2006, 01
■URL ▼ahttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS017582▼b60055323▼h8▼s2
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