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6H-SiC 위에 형성한 에피택시 AIN 박막 구조에 대한 전기적 특성의 평가온도 의존성
6H-SiC 위에 형성한 에피택시 AIN 박막 구조에 대한 전기적 특성의 평가온도 의존성
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 6H-SiC 위에 형성한 에피택시 AIN 박막 구조에 대한 전기적 특성의 평가온도 의존성 / 김용성, 김광호 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2006.
- 형태사항
- pp. 18-22
- 기타저자
- 김용성
- 기타저자
- 김광호
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60071305
MARC
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■245 ▼a6H-SiC 위에 형성한 에피택시 AIN 박막 구조에 대한 전기적 특성의 평가온도 의존성▼d김용성, 김광호 공저
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■773 ▼t전기전자재료학회논문지▼g제19권 제1호 (2006년 1월)▼d2006, 01
■URL ▼ahttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS017582▼b60055323▼h8▼s2
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