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채널구조와 바이어스 조건에 따른 Si0.8Ge0.2pMOSFET의 저주파잡음 특성
채널구조와 바이어스 조건에 따른 Si0.8Ge0.2pMOSFET의 저주파잡음 특성 / 최상식, 양현덕, 김상...
채널구조와 바이어스 조건에 따른 Si0.8Ge0.2pMOSFET의 저주파잡음 특성

Detailed Information

자료유형  
 기사
ISSN  
12267945
서명/저자  
채널구조와 바이어스 조건에 따른 Si0.8Ge0.2pMOSFET의 저주파잡음 특성 / 최상식, 양현덕, 김상훈, 송영주, 이내응, 송종인, 심규환 공저
발행사항  
서울 : 한국전기전자재료학회, 2006.
형태사항  
pp. 1-6
키워드  
채널 바이어스 조건 SI0.8GE0.2PMOSFET의 저주파 잡음
기타저자  
최상식
기타저자  
양현덕
기타저자  
김상훈
기타저자  
송영주
기타저자  
이내응
기타저자  
송종인
기타저자  
심규환
기본자료저록  
전기전자재료학회논문지 : 제19권 제1호 (2006년 1월) 2006, 01
URL  
http://www.kieeme.or.kr
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
kjul:60071302

MARC

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