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STI 채널 모서리에서 발생하는 MOSFET의 험프 특성
STI 채널 모서리에서 발생하는 MOSFET의 험프 특성 / 김현호, 이천희 공저
STI 채널 모서리에서 발생하는 MOSFET의 험프 특성

Detailed Information

자료유형  
 기사
ISSN  
12255904
서명/저자  
STI 채널 모서리에서 발생하는 MOSFET의 험프 특성 / 김현호, 이천희 공저
발행사항  
서울 : 한국시뮬레이션학회, 2002.
형태사항  
pp. 23-30
키워드  
STI 채널 모서리 에서 발생 MOSFET의
기타저자  
김현호, 이천희
기본자료저록  
한국시뮬레이션학회논문지 : 제11권 제1호 (2002년 3월) 2002, 03
URL  
http://society.kordic.re.kr/~simul
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
kjul:60070420

MARC

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■022    ▼a12255904
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