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STI 채널 모서리에서 발생하는 MOSFET의 험프 특성
STI 채널 모서리에서 발생하는 MOSFET의 험프 특성
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MARC
008060214s2002 ULKa a KOR■022 ▼a12255904
■245 ▼aSTI 채널 모서리에서 발생하는 MOSFET의 험프 특성▼d김현호, 이천희 공저
■260 ▼a서울▼b한국시뮬레이션학회▼c2002.
■300 ▼app. 23-30
■653 ▼aSTI▼a채널▼a모서리▼a에서▼a발생▼aMOSFET의
■700 ▼a김현호, 이천희
■773 ▼t한국시뮬레이션학회논문지▼g제11권 제1호 (2002년 3월)▼d2002, 03
■URL ▼ahttp://society.kordic.re.kr/~simul
■SIS ▼aS014144▼b60055259▼h8▼s2
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