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 기사

ISSN  

12267945

서명/저자  

평면구조 P-MOS DRAM 셀의 커패시터 Vt 이온주입의 최적화 / 장성근, 김윤장 공저

발행사항  

서울 : 한국전기전자재료학회, 2006.

형태사항  

pp. 126-129

키워드  

평면 구조 PMOS DRAM VT 이온 최적

기타저자  

장성근

기타저자  

김윤장

기본자료저록  

전기전자재료학회논문지 : 제19권 제2호 (2006년 2월) 2006, 02

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Control Number  

kjul:60068826