서브메뉴
검색
평면구조 P-MOS DRAM 셀의 커패시터 Vt 이온주입의 최적화
평면구조 P-MOS DRAM 셀의 커패시터 Vt 이온주입의 최적화
Detailed Information
- Material Type
- 기사
- ISSN
- 12267945
- Title/Author
- 평면구조 P-MOS DRAM 셀의 커패시터 Vt 이온주입의 최적화 / 장성근, 김윤장 공저
- Publish Info
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2006.
- Material Info
- pp. 126-129
- Added Entry-Personal Name
- 장성근
- Added Entry-Personal Name
- 김윤장
- Host Item Entry
- 전기전자재료학회논문지 : 제19권 제2호 (2006년 2월) 2006, 02
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60068826
MARC
008060209s2006 ULKa a KOR■022 ▼a12267945
■245 ▼a평면구조 P-MOS DRAM 셀의 커패시터 Vt 이온주입의 최적화▼d장성근, 김윤장 공저
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c2006.
■300 ▼app. 126-129
■653 ▼a평면▼a구조▼aPMOS▼aDRAM▼aVT▼a이온▼a최적
■700 ▼a장성근
■7001 ▼a김윤장
■773 ▼t전기전자재료학회논문지▼g제19권 제2호 (2006년 2월)▼d2006, 02
■SIS ▼aS018390▼b60055323▼h8▼s2
Preview
Export
ChatGPT Discussion
AI Recommended Related Books
Detail Info.
- Reservation
- Not Exist
- My Folder
- Reference Materials for Thesis Writing
- Reference Materials for Research Ethics
- Job-Related Books


