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ISSN  

12251550

서명/저자  

나노 스케일 C-MOS FET에 적용되는 완충된 SiGe층 위에 성장된 나노스케일 변위 실리콘층을 가지는 soi c-mosfet 제작 / 박재근 저

발행사항  

서울 : 대한금속.재료학회, 2004.

형태사항  

pp. 17

키워드  

나노 스케일 CMOS FET에 적용 완충 SIGE층 성장 변위 실리콘 가지 SOI CMOSFET

기타저자  

박재근

기본자료저록  

재료마당 : Vol.17 No.5 2004 2004, 12

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Control Number  

kjul:60049592