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폴리 게이트의 양자효과에 의한 Double-Gate MOSFET의 특성 변화 연구
폴리 게이트의 양자효과에 의한 Double-Gate MOSFET의 특성 변화 연구
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12296368
- 서명/저자
- 폴리 게이트의 양자효과에 의한 Double-Gate MOSFET의 특성 변화 연구 / 박지선, 이승준, 신형순 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2004.
- 형태사항
- pp. 17
- 키워드
- 게이트 양자 DOUBLEGATE MOSFET의 변화
- 기타저자
- 박지선, 이승준, 신형순
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60047142
MARC
008050801s2004 ULKa a KOR■022 ▼a12296368
■245 ▼a폴리 게이트의 양자효과에 의한 Double-Gate MOSFET의 특성 변화 연구▼d박지선, 이승준, 신형순 공저
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■700 ▼a박지선, 이승준, 신형순
■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제41권 제8호 (2004 8)▼d2004, 08
■SIS ▼aS010821▼b60014354▼h8▼s2
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