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반절연 갈륨비소의 적외선 영상에 의한 웨이퍼성장조건 및 온도종속 퀀칭율 발명
반절연 갈륨비소의 적외선 영상에 의한 웨이퍼성장조건 및 온도종속 퀀칭율 발명
Detailed Information
MARC
008050718s2003 ULKa a KOR■022 ▼a12296368
■245 ▼a반절연 갈륨비소의 적외선 영상에 의한 웨이퍼성장조건 및 온도종속 퀀칭율 발명▼d강성준 저
■260 ▼a서울▼b대한전자공학회▼c2003.
■300 ▼app. 1-5
■653 ▼a반절연▼a갈륨▼a적외선▼a영상▼a웨이퍼▼a온도▼a종속▼a발명
■700 ▼a강성준
■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제40권 제7호 (2003 7)▼d2003, 07
■SIS ▼aS010341▼b60014354▼h8▼s2
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