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부분 채널도핑된 GaAs계 이중이종접합 전력 FET의 선형성 증가
부분 채널도핑된 GaAs계 이중이종접합 전력 FET의 선형성 증가
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12296368
- 서명/저자
- 부분 채널도핑된 GaAs계 이중이종접합 전력 FET의 선형성 증가 / 김우석, 김상섭, 정윤하 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2002.
- 형태사항
- pp. 83-88
- 기타저자
- 김우석, 김상섭, 정윤하
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60044110
MARC
008050714s2002 ULKa a KOR■022 ▼a12296368
■245 ▼a부분 채널도핑된 GaAs계 이중이종접합 전력 FET의 선형성 증가▼d김우석, 김상섭, 정윤하 공저
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■653 ▼a채널▼aGAAS계▼a이중▼a전력▼aFET의▼a선형
■700 ▼a김우석, 김상섭, 정윤하
■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제39권 제1호 (2002 1)▼d2002, 01
■SIS ▼aS009636▼b60014354▼h8▼s2
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