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고유전율 AIN 절연층을 사용한 비휘발성 강유전체 메모리용 MFIS 구조의 제작 및 특성
고유전율 AIN 절연층을 사용한 비휘발성 강유전체 메모리용 MFIS 구조의 제작 및 특성
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12296368
- 서명/저자
- 고유전율 AIN 절연층을 사용한 비휘발성 강유전체 메모리용 MFIS 구조의 제작 및 특성 / 정순원, 김광호, 구경완 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2001.
- 형태사항
- pp. 1-6
- 기타저자
- 정순원, 김광호, 구경완
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60044059
MARC
008050714s2001 ULKa a KOR■022 ▼a12296368
■245 ▼a고유전율 AIN 절연층을 사용한 비휘발성 강유전체 메모리용 MFIS 구조의 제작 및 특성▼d정순원, 김광호, 구경완 공저
■260 ▼a서울▼b대한전자공학회▼c2001.
■300 ▼app. 1-6
■653 ▼a고유▼a전율▼a절연▼a사용▼a비휘발성▼a강유전체▼a메모리▼aMFIS▼a구조
■700 ▼a정순원, 김광호, 구경완
■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제38권 제11호 (2001 11)▼d2001, 11
■SIS ▼aS009634▼b60014354▼h8▼s2
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