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고유전율 AIN 절연층을 사용한 비휘발성 강유전체 메모리용 MFIS 구조의 제작 및 특성
고유전율 AIN 절연층을 사용한 비휘발성 강유전체 메모리용 MFIS 구조의 제작 및 특성 / 정순원,...
고유전율 AIN 절연층을 사용한 비휘발성 강유전체 메모리용 MFIS 구조의 제작 및 특성

상세정보

자료유형  
 기사
ISSN  
12296368
서명/저자  
고유전율 AIN 절연층을 사용한 비휘발성 강유전체 메모리용 MFIS 구조의 제작 및 특성 / 정순원, 김광호, 구경완 공저
발행사항  
서울 : 대한전자공학회, 2001.
형태사항  
pp. 1-6
키워드  
고유 전율 절연 사용 비휘발성 강유전체 메모리 MFIS 구조
기타저자  
정순원, 김광호, 구경완
기본자료저록  
전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체 : 제38권 제11호 (2001 11) 2001, 11
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
kjul:60044059

MARC

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