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낮은 에너지의 As2+ 이온 주입을 이용한 얕은 n+-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작
낮은 에너지의 As2+ 이온 주입을 이용한 얕은 n+-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작 / 최병용, ...
낮은 에너지의 As2+ 이온 주입을 이용한 얕은 n+-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작

상세정보

자료유형  
 기사
ISSN  
12296368
서명/저자  
낮은 에너지의 As2+ 이온 주입을 이용한 얕은 n+-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작 / 최병용, 성석강, 이종덕 공저
발행사항  
서울 : 대한전자공학회, 2001.
형태사항  
pp. 9-16
키워드  
에너지 AS2 이온 주입 이용 NP 접합 70NM NMOSFET의
기타저자  
최병용, 성석강, 이종덕
기본자료저록  
전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체 : 제38권 제2호 (2001 2) 2001, 02
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
kjul:60044012

MARC

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