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새로운 ERM-방법에 의한 미세구조 N-채널 MOSFET의 유효 캐리어 이동도와 소스 및 드레인 기생저항의 정확한 분리 추출
새로운 ERM-방법에 의한 미세구조 N-채널 MOSFET의 유효 캐리어 이동도와 소스 및 드레인 기생저...
새로운 ERM-방법에 의한 미세구조 N-채널 MOSFET의 유효 캐리어 이동도와 소스 및 드레인 기생저항의 정확한 분리 추출

Detailed Information

자료유형  
 기사
ISSN  
12296368
서명/저자  
새로운 ERM-방법에 의한 미세구조 N-채널 MOSFET의 유효 캐리어 이동도와 소스 및 드레인 기생저항의 정확한 분리 추출 / 김현창, 조수동, 송상준 공저
발행사항  
서울 : 대한전자공학회, 2000.
형태사항  
pp. 1-10
키워드  
새로운 ERM방법에 미세 구조 N채널 MOSFET의 유효 이동 소스 드레인 기생 정확
기타저자  
김현창, 조수동, 송상준
기본자료저록  
전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체 : 제37권 제12호 (2000 12) 2000, 12
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
kjul:60043981

MARC

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