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기가 비트급 소자 제작을 위한 3차원 몬테카를로 극 저 에너지 이온 주입 모델링
기가 비트급 소자 제작을 위한 3차원 몬테카를로 극 저 에너지 이온 주입 모델링
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12296368
- 서명/저자
- 기가 비트급 소자 제작을 위한 3차원 몬테카를로 극 저 에너지 이온 주입 모델링 / 반용찬, 권오섭, 원태영 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2000.
- 형태사항
- pp. 1-10
- 기타저자
- 반용찬, 권오섭, 원태영
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60043942
MARC
008050713s2000 ULKa a KOR■022 ▼a12296368
■245 ▼a기가 비트급 소자 제작을 위한 3차원 몬테카를로 극 저 에너지 이온 주입 모델링▼d반용찬, 권오섭, 원태영 공저
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■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제37권 제10호 (2000 10)▼d2000, 10
■SIS ▼aS009621▼b60014354▼h8▼s2
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