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Hot Wire CVD법에 의한 수소화된 미세결정 실리콘(μc-Si:H) 박막 증착
Hot Wire CVD법에 의한 수소화된 미세결정 실리콘(μc-Si:H) 박막 증착
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12296368
- 서명/저자
- Hot Wire CVD법에 의한 수소화된 미세결정 실리콘(μc-Si:H) 박막 증착 / 이정철, 송진수, 박이준 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2000.
- 형태사항
- pp. 17-27
- 기타저자
- 이정철, 송진수, 박이준
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60043917
MARC
008050713s2000 ULKa a KOR■022 ▼a12296368
■245 ▼aHot Wire CVD법에 의한 수소화된 미세결정 실리콘(μc-Si:H) 박막 증착▼d이정철, 송진수, 박이준 공저
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■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제37권 제8호 (2000 8)▼d2000, 08
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