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Hot Wire CVD법에 의한 수소화된 미세결정 실리콘(μc-Si:H) 박막 증착
Hot Wire CVD법에 의한 수소화된 미세결정 실리콘(μc-Si:H) 박막 증착 / 이정철, 송진수, 박이...
Hot Wire CVD법에 의한 수소화된 미세결정 실리콘(μc-Si:H) 박막 증착

상세정보

자료유형  
 기사
ISSN  
12296368
서명/저자  
Hot Wire CVD법에 의한 수소화된 미세결정 실리콘(μc-Si:H) 박막 증착 / 이정철, 송진수, 박이준 공저
발행사항  
서울 : 대한전자공학회, 2000.
형태사항  
pp. 17-27
키워드  
HOT WIRE CVD법에 수소화 미세 결정 실리콘 박막
기타저자  
이정철, 송진수, 박이준
기본자료저록  
전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체 : 제37권 제8호 (2000 8) 2000, 08
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
kjul:60043917

MARC

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