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Giga-Bit급 DRAM을 위한 고유전(Ba, Sr)TiO₃박막 커패시터의 유전완화 특성에 대한 회로 모델
Giga-Bit급 DRAM을 위한 고유전(Ba, Sr)TiO₃박막 커패시터의 유전완화 특성에 대한 회로 모델
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12296368
- 서명/저자
- Giga-Bit급 DRAM을 위한 고유전(Ba, Sr)TiO₃박막 커패시터의 유전완화 특성에 대한 회로 모델 / 장병택, 차선용, 이희철 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2000.
- 형태사항
- pp. 15-24
- 기타저자
- 장병택, 차선용, 이희철
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60043825
MARC
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■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제37권 제4호 (2000 4)▼d2000, 04
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