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Hydride Vapor Phase Epitaxy 법으로 성장된 Free-Syanding GaN 기판의 특성에 관한 연구
Hydride Vapor Phase Epitaxy 법으로 성장된 Free-Syanding GaN 기판의 특성에 관한 연구
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12296368
- 서명/저자
- Hydride Vapor Phase Epitaxy 법으로 성장된 Free-Syanding GaN 기판의 특성에 관한 연구 / 김화목, 최준성, 오재응 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2000.
- 형태사항
- pp. 14-19
- 기타저자
- 김화목, 최준성, 오재응
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60043808
MARC
008050713s2000 ULKa a KOR■022 ▼a12296368
■245 ▼aHydride Vapor Phase Epitaxy 법으로 성장된 Free-Syanding GaN 기판의 특성에 관한 연구▼d김화목, 최준성, 오재응 공저
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■700 ▼a김화목, 최준성, 오재응
■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제37권 제3호 (2000 3)▼d2000, 03
■SIS ▼aS009614▼b60014354▼h8▼s2
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