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열처리 효과가 질소이온주입후에 성장시킨 산화막의 QBD 특성에 미치는 영향
열처리 효과가 질소이온주입후에 성장시킨 산화막의 QBD 특성에 미치는 영향 / 남인호, 홍성인, ...
열처리 효과가 질소이온주입후에 성장시킨 산화막의 QBD 특성에 미치는 영향

상세정보

자료유형  
 기사
ISSN  
12296368
서명/저자  
열처리 효과가 질소이온주입후에 성장시킨 산화막의 QBD 특성에 미치는 영향 / 남인호, 홍성인, 심재성 공저
발행사항  
서울 : 대한전자공학회, 2000.
형태사항  
pp. 6-13
키워드  
열처리 효과 질소 성장 시킨 산화 QBD 특성
기타저자  
남인호, 홍성인, 심재성
기본자료저록  
전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체 : 제37권 제3호 (2000 3) 2000, 03
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
kjul:60043806

MARC

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