서브메뉴
검색
열처리 효과가 질소이온주입후에 성장시킨 산화막의 QBD 특성에 미치는 영향
열처리 효과가 질소이온주입후에 성장시킨 산화막의 QBD 특성에 미치는 영향
상세정보
MARC
008050713s2000 ULKa a KOR■022 ▼a12296368
■245 ▼a열처리 효과가 질소이온주입후에 성장시킨 산화막의 QBD 특성에 미치는 영향▼d남인호, 홍성인, 심재성 공저
■260 ▼a서울▼b대한전자공학회▼c2000.
■300 ▼app. 6-13
■653 ▼a열처리▼a효과▼a질소▼a성장▼a시킨▼a산화▼aQBD▼a특성
■700 ▼a남인호, 홍성인, 심재성
■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제37권 제3호 (2000 3)▼d2000, 03
■SIS ▼aS009614▼b60014354▼h8▼s2


