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포켓 이온 주입된 MOSFET 소자의 1/f 잡음 특성
포켓 이온 주입된 MOSFET 소자의 1/f 잡음 특성 / 이병헌, 이기영 공저
포켓 이온 주입된 MOSFET 소자의 1/f 잡음 특성

상세정보

자료유형  
 기사
ISSN  
12296368
서명/저자  
포켓 이온 주입된 MOSFET 소자의 1/f 잡음 특성 / 이병헌, 이기영 공저
발행사항  
서울 : 대한전자공학회, 2004.
형태사항  
pp. 1-8
키워드  
포켓 이온 주입 MOSFET 소자 1F 잡음
기타저자  
이병헌, 이기영
기본자료저록  
전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체 : 제41권 제3호 (2004 3) 2004, 03
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
kjul:60043048

MARC

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