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선형 공핍층 근사를 사용한 단채널 GaAs MESFET의 전류 전압 특성 연구
선형 공핍층 근사를 사용한 단채널 GaAs MESFET의 전류 전압 특성 연구
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12297380
- 서명/저자
- 선형 공핍층 근사를 사용한 단채널 GaAs MESFET의 전류 전압 특성 연구 / 박정욱, 김재인, 서청하 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2000.
- 형태사항
- pp. 6-11
- 기타저자
- 박정욱, 김재인, 서청하
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60042836
MARC
008050704s2000 ULKa a KOR■022 ▼a12297380
■245 ▼a선형 공핍층 근사를 사용한 단채널 GaAs MESFET의 전류 전압 특성 연구▼d박정욱, 김재인, 서청하 공저
■260 ▼a서울▼b대한전자공학회▼c2000.
■300 ▼app. 6-11
■653 ▼a선형▼a근사▼a사용▼a단채▼aGAAS▼aMESFET의▼a전류▼a전압
■700 ▼a박정욱, 김재인, 서청하
■773 ▼t전자공학회논문지TE(Technology Education) : 전문 기술교육▼g제37권 제2호 (2000 6)▼d2000, 06
■SIS ▼aS009733▼b60014439▼h8▼s2
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