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도서명 :
40nm InGaAs HEMT's w
ith 65% Strained Channel Fabricated with Damage-Free SiO2/SiNx Side-wall Gate Process
저 자 :
Dae-Hyun Kim
청구기호 :
소장처 :
참고자료실(관광학관2층)
대출요구사항 :
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