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  • 도서명 : Improved Breakdown V
    oltage Characteristics of In0.5Ga0.5P/In0.22Ga0.78As/GaAs p-HEMT with an Oxidized GaAs Gate
  • 저 자 : I-H.Kang
  • 청구기호 :
  • 소장처 :참고자료실(관광학관2층)
  • 대출요구사항 :