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도서명 :
High fт 30nm Triple
-Gate In０.７GaAs HEMTs withDamage-Free SiO₂/SiNx Sidewall Process and BCB Planarization
저 자 :
Dae-Hyun Kim, Seong-Jin Yeon, Saegn-Sub Song, Jae
청구기호 :
소장처 :
참고자료실(관광학관2층)
대출요구사항 :
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